SF6773是一个高性能、高度集成QR(准谐振模式)原边控制(PSR)小功率开关电源IC。 SF6773专有super-QR / PSRTM控制效率高、低电磁干扰,可确保系统满足EPS 6级能量标准。 SF6773内置电缆补偿功能。 SF6773使用VCS多模式控制来提***率和可靠性,并降低音频噪声能量与轻载功。 SF6773还集成了“输出短路频率限制和VCS限制”短路发生时限制MOS功率及MOSFET Vds峰值。 SF6773集成多种保护功能：FB短保护,欠压锁定(UVLO),VDD过压保护(VDD OVP)、输出过压保护(OVP输出),软启动,逐周期限流((OCP),拼脚开路保护。 SF6773采用较小的SOP7封装，内置3A 650V功率MOSFET。SF6773满足EPS 6级，SF6773采用专有的驱动开通方式和谷底导通方式，***的提高了效率和降低了EMI谐波分量。 SF6773内置高低压平衡补偿，CC和CV精度达±5%。 SF6773系列能同时支持准谐振（QR）和原边反馈(PSR)的super-QR/PSR控制架构，相对于传统PSR技术而言，效率大大提高，同时EMI得到大幅度改善。该系列可以实现75mW的超低待机功耗，同时支持6级能效标准，可广泛地应用在小功率充电器、适配器、LED照明等领域。 目前，市场六级能效标准比目前的5级能效标准在待机和效率方面要求更加苛刻，尤其是在49W以下的中小功率场合。以目前5W(5V/1A)智能手机充电器为例，6级能效的要求为73.62%， 比5级能效要高5.45%！ 所以目前的手机充电器IC很难满足如此高的能效要求。 SF6773的主要特点:单芯片集成了650V超高压功率开关、启动电路和电流检测电路，能够实现75mW超低待机功耗，满足六级能效充电器要求，同时大大减少了系统外围器件。使用业内***的super-QR/PSR控制拓扑架构，融合了原边反馈(PSR)控制和准谐振 (QR)控制的优点，大大提升了PSR系统能效，并改善了系统EMI。集成了专利的“多模式PSR”控制技术，提高了系统效率和可靠性。集成了专利的“超静音PSR”控制技术，大大降低了系统的异音。集成了专利的“零电压带载启动”技术，支持输出零电压带载启动。集成了专利的“智能短路保护”技术,使得系统短路可靠性大大增加。内置“输出负载调整率补偿”和“AC线输入电压补偿”,大大提高了恒流精度。