.产品介绍 真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体，炉内抽真空，被处理工件放置在炉膛内，采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗（清洗气体：N2，H2）。主要用于有效清除MOCVD承受器（SiC涂层石墨盘或石英盘）上的氮化镓和氮化铝等，可达到有效清洁处理，提高制品质量的目的。 二、设计特点 1、后门设计热风电机 2、降温时风机开启，同时两端降温封头开启，炉膛内产生如图所示的气体流向 3、通过气体介质将隔热层内与水冷壁之间进行热交换，达到快速降温的目的 三、技术指标 1、使用温度：1450℃；温度：1500℃； 2、绝热材料：石墨纤维毯、石墨纸； 4、加热元件：石墨加热棒； 5、冷却方式：气冷 + 循环风冷降温； 6、控温稳定度：±2℃，具有PID参数自整定功能； 7、炉膛温度均匀度：±5℃（恒温1500℃）； 8、气氛: 可向炉膛内通入干燥、洁净、无油的高纯度氮气,纯度≥99.999%； 9、极限真空: 10-3torr级； 10、抽气速率：空载下，30min达到10-2torr 11、升温功率：170kW； 12、升温速率：15℃/min（空载）； 13、降温速率：1450℃至80℃,240分钟 14、腔体尺寸：1000*1000*1000mm（宽*深*高） *技术细节变动之处，恕不另行通知，具体设备参数以咨询结果为准。