半导体行业超纯水除硼树脂CH-99，超纯水脱除硼离子

　半导体的生产需要经过8个主要工序。超纯水主要用于半导体制造中某些工序前后的清洗。例如，在蚀刻工艺之后，切割晶圆并用超纯水清洗残余碎片。或者，在离子注入过程之后，清洁残余离子。此外，超纯水还可用于晶圆抛光或晶圆切割。

　　超纯水是一种用于半导体制造过程中的洗涤剂。那么，在半导体生产中使用超纯水会有什么影响呢?在用纳米超精细工艺处理半导体时，如果在各种工艺前后留下一个小颗粒，则会导致误差。因此，在各种工艺前后用超纯水清洗晶圆可以确保清洁度并提高半导体生产率(输出)。

随着半导体工业的不断发展，对清洁水的电导率、离子含量、TOC、do和颗粒物的要求越来越严格。由于超纯水在许多指标上对半导体的要求很高，因此半导体行业的超纯水与其他行业的用水要求不同。半导体行业对超纯水有极其严格的水质要求。目前，我国常用的超纯水标准有g家标准《电子级水》(GB/T 11446.1-2013)和美标。

　　在半导体生产过程中，硼是一种p型杂质。过量会使n型硅反转，从而影响电子和空穴的浓度。因此，在超纯水工业中应充分考虑硼的去除。硼离美标中e1.3中要求小于0.05。如果硼离子含量能够达到较低的指标，则必然会提高半导体的性能。

　　Huncotte系统选用核级树脂，可通过*的靶向离子交换树脂有效控制系统出水的硼离子含量。采用IPC-MS检测硼离子含量，并对硼离子流出物进行分析≤ 0.005μG/L远低于美标E1.3中要求的硼离子含量。

饮用水去除除硼树脂工艺，用于海水深度去除除硼，针对低浓度含硼水工业废水饮用水去除硼，随着硼工业的发展及人们对水中硼污染问题的重视，水中硼的去除越来越引起人们的广泛关注。硼的去除方法有很多种，目前，采用离子交换提硼法是能满足深度除硼要求的z 佳方法，该方法主要用于低浓度硼溶液的除硼，需结合其他除硼方法进行整体净化除硼。
硼在地壳中平均丰度为10ppm。在火成岩中,花岗岩含硼12ppm，玄武岩含硼8ppm。可对大气水土地造成污染。
在pH值8以下的t然水中,硼主要以硼酸形式存在；如pH值上升到8以上,硼酸逐渐转变为硼酸根离子。淡水中含硼7～500微克/升，平均值为15微克/升。海水中含硼量较高,平均值为4.44毫克/升。据1972年估计,美国每年排入环境中的硼达32 000吨,其中来自洗涤剂的约14 000吨,来自农药、肥料的约7 000吨。由于硼化合物有较高的水溶性，大部分进入水体。
硼酸、硼砂等可用作医药，两者均有毒性。如果使用不当，也会对人体造成危害。
硼酸能从胃肠道、浆膜腔及有损伤的皮肤迅速吸收，故可因内服或局部应用而发生中毒。中毒常见原因如下：应用含有硼酸的爽身粉、硼酸粉或硼酸软膏等涂布大面积创伤、湿疹及尿布疹，r母多次应用硼酸溶液洗擦r头而被婴儿吮吸，幼儿误饮硼酸水止渴或误食多量杀蟑螂丸（含30%的硼酸）；应用硼酸溶液误作生理盐水注射等。小儿口服硼酸致死量一般为5～6g，曾有人因内服硼酸1g致死。
硼选择吸附树脂去除硼做到ppb级别
CH-99 是一款去除水溶液中硼及其盐的选择性离子交换树脂。在一些化工工业以及农业用水中，微量的硼或者硼盐都可能是严重的问题。此种树脂可以在较大的 PH 范围内甚至有其他离子存在的溶液中有效的去除硼以及硼盐，并且具有更高的数量级。
主体结构/Matrix structure 交联聚苯乙烯/Cross linked polystyrene
物理型式/Physical form 含水球状/Wet spherical beads
官能团/Functional group 胺聚羟基/Poly hydroxy amine
离子型式/Ionic form as shipped 氯/Chloride
总交换量/Total exchange capacity( meq/ml ) 0.8 meq/ml
目数/Screen size USS (湿) 16 to 50
粒度/Particle size(95% minm.) 0.3 - 1.2 mm
平衡硼量/Equilibrium boron capacity( meq/ml ) 5.7 meq/ml
湿度/Moisture content 46±3%
容积密度/Bulk density 680 - 720 gm/lit(43 - 47 lbs/cft)
z 大温度/Maximum Thermal Stability 80℃（175℉）