4803 MOSFET管双P沟道***功率MOS晶体管

4803mos管采用***的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS（ON），具有低R DS（on）@V GS = -5V，5V逻辑电平控制，双P沟道SOP8封装，超过额定值的应力可能会损坏设备，额定值仅为压力等级，长期暴露于高于推荐操作条件的应力可能影响设备可靠性。

4803mos管该设备适合用作负载开关或PWM应用，针对电源管理进行了优化便携式产品的应用，例如H桥，变频器车载充电器及其他。

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